【CNMO科技消息】近日，三星参加美国加州举办的“未来存储与内存会议”（FMS 2026）。大会上公司发布了最新AI内存产品组合及技术路线图，包括zHBM与zNAND-O概念模型预览，展出约30项内存与存储技术。
三星zHBM模型
存储架构层面，三星推出了zHBM。其采用突破性设计，将HBM垂直堆叠于AI加速器正上方，而非传统并列摆放。通过最小化AI处理器与存储器之间的数据传输距离，zHBM旨在提供更高带宽与更优能效，满足大规模AI训练与推理所需的超高速数据处理需求。
此外，基于zHBM新一代接口的系统性能最高可达到HBM5的8倍，能效最高提升3倍，热阻降低一半以上，有助于提升高性能AI系统运行稳定性。同时，新品还支持客户定制设计，从而扩展内存容量并提升加速器性能。
zHBM
存储方案层面，三星同步推出zNAND-O，这是一款面向端侧AI应用的高性能NAND闪存解决方案，凭借TSV堆叠技术实现4层与8层堆叠，具备高空间利用率、增强I/O性能与低延迟特性，可支持实时且数据密集型的AI应用。
zNAND-O
据CNMO科技了解，三星还首次展示了V10 BV-NAND，其采用400层以上堆叠结构，存储密度较前代V9提升约58%。此外，HBM4E、HBM5模型、LPDDR5X-PIM及企业级SSD PM1763、BM1773等产品也已曝光。
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